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金融界2025年2月22日消息，国家(jia)知识产权局信(xin)息显示，中芯国际集成电(dian)路(lu)制造（上海(hai)）有限公司申(shen)请一项名为“半导体(ti)结构(gou)及其形成方法(fa)”的专利，公开号(hao)CN 119497362 A，申(shen)请日期为2023年8月。

专利摘要显示，一种半导体(ti)结构(gou)及其形成方法(fa)，结构(gou)包括：第一栅极(ji)结构(gou)、第一沟(gou)道层以及第一源漏极(ji)构(gou)成下拉晶体(ti)管，第一栅极(ji)结构(gou)、第二沟(gou)道层以及第二源漏极(ji)构(gou)成上拉晶体(ti)管；栅极(ji)插塞(sai)，位于第一栅极(ji)结构(gou)的顶部(bu)，且栅极(ji)插塞(sai)与第一栅极(ji)结构(gou)电(dian)连接；介电(dian)层，位于基底顶部(bu)，且覆盖下拉晶体(ti)管、上拉晶体(ti)管以及栅极(ji)插塞(sai)；金属(shu)层，位于介电(dian)层的顶部(bu)；凹(ao)槽，贯穿金属(shu)层、介电(dian)层以及部(bu)分厚度的栅极(ji)插塞(sai)第三沟(gou)道层覆盖凹(ao)槽的底部(bu)和侧壁(bi)第二栅极(ji)结构(gou)，位于凹(ao)槽的剩余空间中，环绕第二栅极(ji)结构(gou)的栅极(ji)插塞(sai)用于作(zuo)为第三源漏极(ji)，环绕第二栅极(ji)结构(gou)的金属(shu)层用于作(zuo)为第四源漏极(ji)，第二栅极(ji)结构(gou)、第三沟(gou)道层、第三源漏极(ji)和第四源漏极(ji)构(gou)成传输(shu)门晶体(ti)管。提高(gao)半导体(ti)结构(gou)的集成度。

天眼查资料显示，中芯国际集成电(dian)路(lu)制造（上海(hai)）有限公司，成立于2000年，位于上海(hai)市，是一家(jia)以从(cong)事计(ji)算机、通信(xin)和其他电(dian)子设备(bei)制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电(dian)路(lu)制造（上海(hai)）有限公司共对外投资了4家(jia)企业，参与招投标项目120次，知识产权方面有商标信(xin)息146条，专利信(xin)息5000条，此外企业还拥有行政许(xu)可442个。

来源：金融界