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在(zai)人工智能浪潮(chao)的推动下，半导体存储芯(xin)片销售收入市(shi)场再创新高。CFM闪存市(shi)场数据显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。而DRAM（内存）和NAND Flash（闪存）走势分化。A股存储器指数连续3天上(shang)涨。截至记者发稿，2月21日，东(dong)芯(xin)股份上(shang)涨14.63%。深康佳A和德明(ming)利涨停，兴森科技(ji)、兆易创新等涨幅(fu)超(chao)过。
存储市(shi)场步入复苏
CFM闪存市(shi)场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市(shi)场规模环比增长4.2%，达(da)到467.55亿美元。其中，DRAM市(shi)场表现尤为突出，规模环比增长13.5%至293.45亿美元，而NAND Flash市(shi)场规模则减少8.5%至174.1亿美元。
放(fang)眼(yan)整个半导体市(shi)场，存储品类增长也(ye)尤为突出。
市(shi)场调研(yan)机构Counterpoint发布(bu)的半导体研(yan)究报告也(ye)进一步证实了存储市(shi)场的繁荣。报告预计(ji)，全球半导体市(shi)场（包含存储产业）2024全年营收将(jiang)同比增长19%，达(da)到6210亿美元。这(zhe)标志着半导体产业在(zai)经历2023年的低(di)迷后实现了强劲回(hui)升，而存储芯(xin)片市(shi)场更是一马当(dang)先(xian)，营收预计(ji)同比大涨64%，主要得益(yi)于需求(qiu)回(hui)暖及价格上(shang)涨。
美国(guo)半导体行业协会(hui)（SIA）发布(bu)数据显示，2024年全球半导体销售额(e)达(da)到6276亿美元，同比2023年增长了19.1%。其中，存储器产品销售额(e)排名第二，2024年增长了78.9%，达(da)到1651亿美元，子类别DRAM产品的销售额(e)更是增长82.6%，成(cheng)为2024年增长百分比最大的产品类别。
SIA总裁兼(jian)首席执行官约(yue)翰·纽弗（John Neuffer）表示，2024年，全球半导体市(shi)场经历了有史以来销售额(e)最高的一年，年销售额(e)首次突破6000亿美元，预计(ji)2025年将(jiang)实现两位数的市(shi)场增长。
AI强势拉动内存市(shi)场
AI需求(qiu)带动高带宽(kuan)内存（HBM）市(shi)场蓬(peng)勃发展，有望进一步支撑了整体存储芯(xin)片市(shi)场。
市(shi)场机构Gartner副总裁Gaurav Gupta日前在(zai)“Semicon Korea2025”活动上(shang)表示，今年HBM市(shi)场预计(ji)将(jiang)比去年增长66.9%。尽管与过去两年AI市(shi)场的快速增长相(xiang)比，需求(qiu)增长的速度预计(ji)会(hui)放(fang)缓，但(dan)供应短缺预计(ji)将(jiang)持续。他指出，HBM将(jiang)推动存储器半导体市(shi)场的增长，特(te)别是在(zai)DRAM领域。去年，HBM仅占DRAM出货量(liang)的1.2%，但(dan)预计(ji)今年将(jiang)上(shang)升到5%，到2028年，HBM预计(ji)将(jiang)占DRAM市(shi)场总量(liang)的30.6%。随(sui)着主要供应商的技(ji)术(shu)成(cheng)熟，他们(men)可能会(hui)专(zhuan)注于提高产量(liang)，HBM的层数预计(ji)也(ye)将(jiang)从8层增加到16层，未(wei)来可能达(da)到20层。
随(sui)着人工智能将(jiang)向更高效部署方向落地，企业级固态硬盘市(shi)场有望拉动。
TrendForce集邦咨询指出，从AI订单角度而言，NVIDIA（英伟达(da)）预计(ji)于下半年扩大Blackwell系列产品的出货，该(gai)系列产品理(li)论上(shang)会(hui)大幅(fu)增加EnterpriseSSD的需求(qiu)。同时，开源大模型DeepSeek大模型大幅(fu)降低(di)AIServer建置(zhi)成(cheng)本，中小企业将(jiang)更有能力实现AI落地的策略，从而提升企业竞争力，有望推动企业级和PC等SSD需求(qiu)。
另外，由于DeepSeek大幅(fu)降低(di)了算力需求(qiu)，AI智能手机的功能搭载(zai)率也(ye)存在(zai)扩大的可能，加上(shang)QLC（四层式储存）技(ji)术(shu)逐步渗透手机使用，AI智能手机的储存需求(qiu)或许(xu)会(hui)因此(ci)有所增长。不过，这(zhe)些因素能否(fou)切实转(zhuan)化为市(shi)场需求(qiu)的提升以及对市(shi)场供需结构的改善(shan)程度仍(reng)存在(zai)不确(que)定性。
闪存巨头重启(qi)减产
相(xiang)比DRAM市(shi)场，NAND Flash市(shi)场“预冷”。2022年、2023年，全球闪存为应对供需失衡，曾陆续启(qi)动过减产，而面临今年闪存市(shi)场压(ya)力，闪存巨头再度启(qi)动减产，有望助力后续价格反弹。
报道显示，今年1月，三(san)星电子决定大幅(fu)减少其位于中国(guo)西安工厂的NAND闪存生产，晶圆投入量(liang)减少超(chao)过10%，每月平均产量(liang)预计(ji)从20万片减少至约(yue)17万片。同时，韩国(guo)华城的12号(hao)和17号(hao)生产线也(ye)将(jiang)调整供应，整体产能降低(di)，合计(ji)NAND闪存芯(xin)片产能可能会(hui)减少20%左右。
SK海力士计(ji)划(hua)将(jiang)上(shang)半年NAND闪存的产量(liang)削减10%。其NAND闪存月产能为30万片晶圆，减产10%即(ji)每月减少3万片晶圆的产出。
美光也(ye)着手减产。2025财(cai)年第一季度，美光DRAM业务环比增长20%，而NAND业务却下滑了5%，并预计(ji)第二季度NAND出货量(liang)仍(reng)将(jiang)环比下降，并且影响公(gong)司下一季度业绩。美光执行副总裁首席财(cai)务官MarkMurphy表示，在(zai)NAND业务方面正在(zai)采取迅(xun)速而果断的行动来降低(di)资(zi)本支出并削减晶圆产量(liang)。
铠侠也(ye)在(zai)2024年12月实施减产，预计(ji)将(jiang)有望促使NAND Flash价格止跌甚至出现反转(zhuan)。
根据TrendForce集邦咨询调查显示，今年第一季NAND Flash市(shi)场持续面临供过于求(qiu)的挑战(zhan)，导致价格持续下滑，供应商陷(xian)入亏损困境。自2023年起，各大NAND Flash原厂已深刻认识(shi)到供给过剩对产业造成(cheng)的严重冲击，特(te)别是NAND Flash需求(qiu)年增率自30%大幅(fu)下修至10%—15%。预估NAND Flash市(shi)场供需结构存在(zai)在(zai)下半年得到改善(shan)的可能性。
从需求(qiu)端来看，多(duo)方面因素有可能推升NAND Flash需求(qiu)，从而缓解供过于求(qiu)的局面。自2024年第四季起，中国(guo)持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激了智能手机销量(liang)，加速了NAND Flash库(ku)存去化速度。智能手机品牌(pai)厂有机会(hui)在(zai)今年第二季扩大建立(li)低(di)价库(ku)存，从而带动一定的需求(qiu)动能。