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金融界2025年2月22日消息，国家(jia)知识产权局信息显示，西(xi)安龙飞(fei)电气技术有限公司(si)申请(qing)一项名为“一种碳化(hua)硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN 119497414 A，申请(qing)日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种碳化(hua)硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领(ling)域。包(bao)括：源极金属、碳化(hua)硅结构、N‑型第二碳化(hua)硅外延层层间绝缘介(jie)质(zhi)、第一P型掺(chan)杂区、第二P型掺(chan)杂区、第一N型掺(chan)杂区、N+型第一源区、第二N型掺(chan)杂区、P型体区、N+型第二源区；源极沟槽贯穿N‑型第二碳化(hua)硅外延层至第一P型掺(chan)杂区和第二P型掺(chan)杂区内，外侧被(bei)P型源区包(bao)围，内部有源极金属；栅(shan)极沟槽内有栅(shan)氧化(hua)层并(bing)淀积有多晶硅作为栅(shan)极，栅(shan)氧化(hua)层底部与周期性排列的第一P型掺(chan)杂区、第一N型掺(chan)杂区和N+型第一源区接触，栅(shan)氧化(hua)层底部与周期性排列的第二N型掺(chan)杂区接触。可(ke)保护(hu)栅(shan)氧化(hua)层，降低拐角处栅(shan)氧化(hua)层的电场强(qiang)度和降低碳化(hua)硅MOSFET器件的导通电阻。

天眼查资料(liao)显示，西(xi)安龙飞(fei)电气技术有限公司(si)，成立于2013年，位于西(xi)安市，是一家(jia)以从事电气机(ji)械和器材制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民(min)币，实缴资本3000万人民(min)币。通过天眼查大(da)数据(ju)分析，西(xi)安龙飞(fei)电气技术有限公司(si)参与招投标项目24次，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可(ke)17个。

来源：金融界