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在人工(gong)智能浪潮(chao)的推动下，半导体(ti)存储芯片销售收入(ru)市(shi)场再创新高。CFM闪存市(shi)场数据显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入(ru)创下了1670亿美元的历史新高。而DRAM（内存）和NAND Flash（闪存）走(zou)势分化(hua)。A股存储器指数连续3天(tian)上涨。截至记者发稿，2月21日，东芯股份上涨14.63%。深康佳A和德明利涨停，兴森科技、兆(zhao)易(yi)创新等涨幅超过(guo)。
存储市(shi)场步(bu)入(ru)复苏
CFM闪存市(shi)场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入(ru)创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市(shi)场规模(mo)环比增长4.2%，达到(dao)467.55亿美元。其中(zhong)，DRAM市(shi)场表现尤为突出，规模(mo)环比增长13.5%至293.45亿美元，而NAND Flash市(shi)场规模(mo)则减少(shao)8.5%至174.1亿美元。
放眼整个半导体(ti)市(shi)场，存储品类(lei)增长也(ye)尤为突出。
市(shi)场调研机构Counterpoint发布的半导体(ti)研究报告也(ye)进一步(bu)证(zheng)实了存储市(shi)场的繁荣。报告预(yu)计，全球半导体(ti)市(shi)场（包含存储产(chan)业）2024全年营收将同(tong)比增长19%，达到(dao)6210亿美元。这(zhe)标志着半导体(ti)产(chan)业在经(jing)历2023年的低迷后实现了强劲回升，而存储芯片市(shi)场更是一马当先，营收预(yu)计同(tong)比大涨64%，主要得益(yi)于(yu)需求回暖及价格(ge)上涨。
美国半导体(ti)行业协会（SIA）发布数据显示，2024年全球半导体(ti)销售额达到(dao)6276亿美元，同(tong)比2023年增长了19.1%。其中(zhong)，存储器产(chan)品销售额排名第二，2024年增长了78.9%，达到(dao)1651亿美元，子类(lei)别(bie)DRAM产(chan)品的销售额更是增长82.6%，成为2024年增长百分比最大的产(chan)品类(lei)别(bie)。
SIA总裁兼首(shou)席执行官约(yue)翰·纽弗（John Neuffer）表示，2024年，全球半导体(ti)市(shi)场经(jing)历了有史以来销售额最高的一年，年销售额首(shou)次突破6000亿美元，预(yu)计2025年将实现两(liang)位数的市(shi)场增长。
AI强势拉动内存市(shi)场
AI需求带动高带宽(kuan)内存（HBM）市(shi)场蓬勃发展，有望进一步(bu)支撑了整体(ti)存储芯片市(shi)场。
市(shi)场机构Gartner副(fu)总裁Gaurav Gupta日前在“Semicon Korea2025”活动上表示，今年HBM市(shi)场预(yu)计将比去年增长66.9%。尽管与过(guo)去两(liang)年AI市(shi)场的快(kuai)速(su)增长相比，需求增长的速(su)度预(yu)计会放缓，但供应短缺预(yu)计将持续。他指出，HBM将推动存储器半导体(ti)市(shi)场的增长，特别(bie)是在DRAM领域。去年，HBM仅占DRAM出货量(liang)的1.2%，但预(yu)计今年将上升到(dao)5%，到(dao)2028年，HBM预(yu)计将占DRAM市(shi)场总量(liang)的30.6%。随着主要供应商(shang)的技术成熟，他们可能会专(zhuan)注于(yu)提高产(chan)量(liang)，HBM的层数预(yu)计也(ye)将从8层增加到(dao)16层，未来可能达到(dao)20层。
随着人工(gong)智能将向(xiang)更高效部(bu)署(shu)方(fang)向(xiang)落(luo)地，企业级固态硬盘市(shi)场有望拉动。
TrendForce集邦咨询指出，从AI订(ding)单角度而言，NVIDIA（英伟达）预(yu)计于(yu)下半年扩(kuo)大Blackwell系列产(chan)品的出货，该系列产(chan)品理(li)论上会大幅增加EnterpriseSSD的需求。同(tong)时，开源大模(mo)型DeepSeek大模(mo)型大幅降低AIServer建置(zhi)成本，中(zhong)小企业将更有能力实现AI落(luo)地的策略，从而提升企业竞争力，有望推动企业级和PC等SSD需求。
另外，由于(yu)DeepSeek大幅降低了算力需求，AI智能手机的功能搭载率也(ye)存在扩(kuo)大的可能，加上QLC（四层式储存）技术逐步(bu)渗透手机使用，AI智能手机的储存需求或许会因此有所增长。不过(guo)，这(zhe)些因素(su)能否切实转(zhuan)化(hua)为市(shi)场需求的提升以及对市(shi)场供需结构的改善(shan)程度仍存在不确定性。
闪存巨头重启减产(chan)
相比DRAM市(shi)场，NAND Flash市(shi)场“预(yu)冷”。2022年、2023年，全球闪存为应对供需失衡(heng)，曾陆续启动过(guo)减产(chan)，而面临(lin)今年闪存市(shi)场压力，闪存巨头再度启动减产(chan)，有望助力后续价格(ge)反弹。
报道显示，今年1月，三星电子决(jue)定大幅减少(shao)其位于(yu)中(zhong)国西安工(gong)厂(chang)的NAND闪存生产(chan)，晶圆投入(ru)量(liang)减少(shao)超过(guo)10%，每(mei)月平均产(chan)量(liang)预(yu)计从20万片减少(shao)至约(yue)17万片。同(tong)时，韩国华城的12号和17号生产(chan)线也(ye)将调整供应，整体(ti)产(chan)能降低，合计NAND闪存芯片产(chan)能可能会减少(shao)20%左右。
SK海力士计划将上半年NAND闪存的产(chan)量(liang)削(xue)减10%。其NAND闪存月产(chan)能为30万片晶圆，减产(chan)10%即每(mei)月减少(shao)3万片晶圆的产(chan)出。
美光也(ye)着手减产(chan)。2025财年第一季度，美光DRAM业务(wu)环比增长20%，而NAND业务(wu)却下滑了5%，并预(yu)计第二季度NAND出货量(liang)仍将环比下降，并且影(ying)响公司下一季度业绩。美光执行副(fu)总裁首(shou)席财务(wu)官MarkMurphy表示，在NAND业务(wu)方(fang)面正在采取迅速(su)而果(guo)断的行动来降低资本支出并削(xue)减晶圆产(chan)量(liang)。
铠(kai)侠也(ye)在2024年12月实施减产(chan)，预(yu)计将有望促(cu)使NAND Flash价格(ge)止跌甚至出现反转(zhuan)。
根据TrendForce集邦咨询调查显示，今年第一季NAND Flash市(shi)场持续面临(lin)供过(guo)于(yu)求的挑战，导致价格(ge)持续下滑，供应商(shang)陷入(ru)亏损(sun)困境。自2023年起，各大NAND Flash原厂(chang)已深刻认识(shi)到(dao)供给过(guo)剩对产(chan)业造成的严(yan)重冲击，特别(bie)是NAND Flash需求年增率自30%大幅下修至10%—15%。预(yu)估NAND Flash市(shi)场供需结构存在在下半年得到(dao)改善(shan)的可能性。
从需求端来看，多方(fang)面因素(su)有可能推升NAND Flash需求，从而缓解供过(guo)于(yu)求的局面。自2024年第四季起，中(zhong)国持续推出的以旧换新补贴政(zheng)策有效地刺激(ji)了智能手机销量(liang)，加速(su)了NAND Flash库存去化(hua)速(su)度。智能手机品牌厂(chang)有机会在今年第二季扩(kuo)大建立低价库存，从而带动一定的需求动能。