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（文/观察者(zhe)网 吕栋 编(bian)辑/张广凯(kai)）
“长江存储实现了(le)对三星的技术(shu)专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又(you)一次重大鼓舞。”行业媒体(ti)如此评价称。
2月24日，韩国媒体(ti)ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与(yu)中国存储芯片厂商长江存储签署了(le)专利许可协议，将从(cong)后(hou)者(zhe)获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆(yuan)和晶圆(yuan)直接键合的尖端封装技术(shu)。
三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从(cong)中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取(qu)授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈(lie)。
观察者(zhe)网就该报道联系长江存储方面，对方暂未置评。
从(cong)韩媒报道来看(kan)，三星此次获取(qu)长江存储专利授权，将主要(yao)用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划(hua)于今年下半年量产，堆叠层(ceng)数将达到420层(ceng)-430层(ceng)。为了(le)让V10芯片尽快量产，三星引入了(le)多项新技术(shu)，晶圆(yuan)和晶圆(yuan)之间的混合键合“至关重要(yao)”。
长江存储128层(ceng)NAND闪存
三星之所以这么看(kan)重这项技术(shu)，是因为“混合键合”技术(shu)省去了(le)传统芯片连(lian)接所需的凸块，缩短了(le)电路，并提高了(le)存储性能和散热(re)特性，“特别是晶圆(yuan)之间的混合键合，它键合的是整个晶圆(yuan)而不是芯片，在提高生(sheng)产效率方面也(ye)具有优势”。
与(yu)三星相比，长江存储是一个后(hou)起之秀，2016年成立于武(wu)汉，至今不到10年。彼时(shi)，存储芯片行业已(yi)经是成熟市场，三星、SK海力士(shi)、美(mei)光(guang)等巨头占据了(le)大部分市场份额(e)。对于后(hou)来者(zhe)而言，要(yao)想长久发展，首要(yao)目标并不是快速抢(qiang)市场，而是要(yao)确保技术(shu)专利的合规。
如果技术(shu)专利上出了(le)问题，甚至被行业巨头找上麻烦，将影响(xiang)企业的长期发展，甚至危及生(sheng)存，福建晋华和美(mei)光(guang)的专利侵权纠纷就是一个典(dian)型(xing)例子，一度导致福建晋华的运营停摆。
也(ye)正是提前考虑(lu)了(le)这一点，长江存储在成立之初(chu)获得国家大基金投资的同(tong)时(shi)，国家也(ye)对长江存储所从(cong)事的3D NAND技术(shu)研发生(sheng)产，进行了(le)全面专利预警(jing)工作。
2016年，由国家知识产权局专利分析(xi)和预警(jing)领导小组办公室组织，专利审查协作湖北中心骨干力量承担的专题《三维NAND型(xing)存储器关键技术(shu)专利分析(xi)和预警(jing)》启动，报告详(xiang)细分析(xi)了(le)三维NAND型(xing)存储器的关键技术(shu)、全球专利布局情况以及主要(yao)企业的竞争态势，建议国内企业建立风险预警(jing)机(ji)制，对海外存储寡(gua)头和国外研究机(ji)构的高风险专利保持警(jing)觉。
2017年8月，武(wu)汉东湖高新区管(guan)委会召开三维NAND存储器产业知识产权项目报告会暨存储器产业专利导航预研会，政府(fu)机(ji)构和长江存储等相关负责人参加，要(yao)求认真做(zuo)好专利预警(jing)和专利布局等专利导航工作。
根(gen)据长江存储官(guan)网介绍，2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功(gong)设计制造了(le)中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功(gong)，其中X2-6070型(xing)号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时(shi)业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗(ke)容量。
长江存储自研Xtacking技术(shu)
观察者(zhe)网当时(shi)（2020年4月）还报道过，长江存储跳过96层(ceng)，成功(gong)研发基于Xtacking 2.0的128层(ceng)QLC3D NAND闪存，短短3年实现从(cong)32层(ceng)到64层(ceng)再到128层(ceng)的跨越。
从(cong)这次韩媒的报道看(kan)，在那个时(shi)期，长江存储就已(yi)经在积极应用3D NAND混合键合技术(shu)，并将其命名为“Xtacking”。该公司还在业务初(chu)期通过许可协议，从(cong)美(mei)国科技公司Xperi获得了(le)与(yu)混合键合相关的原(yuan)始专利，长期积累了(le)大量与(yu)NAND键合相关的自有专利。
随着(zhe)闪存芯片堆叠层(ceng)数进入400层(ceng)，如何保证芯片的性能可靠和生(sheng)产效率成为难题，三星等存储巨头在生(sheng)产制造中，似乎也(ye)不得不使用混合键合技术(shu)，也(ye)就避不开长江存储的专利。
韩媒援引知情人士(shi)称，Xperi、长江存储和台积电这三家公司，实际上拥有了(le)与(yu)混合键合相关的大部分技术(shu)专利，三星电子也(ye)是在判断其在V10、V11和V12等未来代际的NAND芯片开发中，几乎不可能避开长江存储的专利的情况下，签订(ding)了(le)许可协议。
调研机(ji)构TechInsights的崔正东分析(xi)称：“从(cong)V10开始，三星电子开始采用三重堆叠技术(shu)，将电路分为三层(ceng)，并使用混合键合技术(shu)，总共使用两个晶圆(yuan)。由于存在许多变(bian)化，例如工艺转换和新设施投资，因此与(yu)长期采用混合键合的长江存储相比，制造成本必然会高得多。”
三星电子开发的V9代闪存芯片
存在类似情况的还有SK海力士(shi)，它跟三星两家占据了(le)全球50%以上的闪存市场份额(e)。这家韩国巨头计划(hua)在今年底量产400层(ceng)NAND闪存，并在明年上半年大规模(mo)生(sheng)产，该公司高管(guan)明确提到，将在400层(ceng)NAND产品中使用混合键合技术(shu)，来提高成本效率和量产。
在韩媒看(kan)来，长江存储通过在混合键合领域的长期积累，技术(shu)已(yi)经领先，该公司近期使用“Xtacking 4.x”版本实现270层(ceng)高密度NAND的商业化（SK海力士(shi)去年底量产“全球最高”321层(ceng)NAND闪存）。
“长江存储的2yy NAND芯片（预计270层(ceng)），是我们在市场上发现的密度最高的NAND，更重要(yao)的是，它是业内第一个实现超过20Gb/mm2位密度的NAND。”TechInsights在报告中写道。
截至目前，长江存储专利申请数量超过1万件。正如前文所言，对于长江存储、长鑫存储这种新兴之秀而言，积累专利不仅是为了(le)推进技术(shu)，更为了(le)在专利战中进行防(fang)御(yu)。
2023年11月8日，长江存储以八件专利起诉美(mei)光(guang)之后(hou)，又(you)在2024年7月追加了(le)11件专利的起诉，两案并案处理。有专利媒体(ti)撰文称，长江存储敢于在美(mei)国主动起诉美(mei)光(guang)，开创了(le)中国企业的先河，也(ye)显(xian)示出对于自主技术(shu)的自信(xin)。截至目前，可检索(suo)到的美(mei)光(guang)已(yi)经对长江存储的20件专利，发起了(le)22次的无效挑战IPR（多方复(fu)审）。不难看(kan)出，这种密度的纠纷，也(ye)开创了(le)中国企业和美(mei)国企业在专利战场上较量的一个新纪录。
对于中国科技创新而言，长江存储十年磨一剑的技术(shu)突破无疑令(ling)人振奋。在核心技术(shu)逐步追上甚至领先行业巨头之后(hou)，如何提升产能也(ye)成为长江存储的关键问题，这对能否(fou)改写行业格局也(ye)至关重要(yao)。