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在人工智能(neng)浪潮的推动下，半导体存储芯片销售收入(ru)市场再创新高。CFM闪存市场数(shu)据显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入(ru)创下了1670亿美元(yuan)的历史新高。而(er)DRAM（内(nei)存）和NAND Flash（闪存）走势分化。A股(gu)存储器指数(shu)连续3天上涨。截(jie)至记者发稿，2月21日(ri)，东芯股(gu)份上涨14.63%。深康佳A和德明利涨停，兴森科技、兆易创新等涨幅(fu)超过。
存储市场步入(ru)复苏
CFM闪存市场数(shu)据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入(ru)创下了1670亿美元(yuan)的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长(chang)4.2%，达到467.55亿美元(yuan)。其中，DRAM市场表(biao)现尤为突出，规模环比增长(chang)13.5%至293.45亿美元(yuan)，而(er)NAND Flash市场规模则(ze)减少8.5%至174.1亿美元(yuan)。
放眼整个半导体市场，存储品类增长(chang)也尤为突出。
市场调研(yan)机构Counterpoint发布的半导体研(yan)究报告也进一步证实了存储市场的繁(fan)荣。报告预计，全球半导体市场（包含存储产(chan)业）2024全年营收将同(tong)比增长(chang)19%，达到6210亿美元(yuan)。这(zhe)标志着半导体产(chan)业在经历2023年的低迷后实现了强劲回升，而(er)存储芯片市场更是一马当先，营收预计同(tong)比大涨64%，主要得(de)益于需求回暖及价格上涨。
美国半导体行业协会（SIA）发布数(shu)据显示，2024年全球半导体销售额达到6276亿美元(yuan)，同(tong)比2023年增长(chang)了19.1%。其中，存储器产(chan)品销售额排名第二(er)，2024年增长(chang)了78.9%，达到1651亿美元(yuan)，子类别(bie)DRAM产(chan)品的销售额更是增长(chang)82.6%，成为2024年增长(chang)百(bai)分比最大的产(chan)品类别(bie)。
SIA总裁兼首席执行官约翰·纽弗（John Neuffer）表(biao)示，2024年，全球半导体市场经历了有史以来销售额最高的一年，年销售额首次突破6000亿美元(yuan)，预计2025年将实现两位数(shu)的市场增长(chang)。
AI强势拉动内(nei)存市场
AI需求带动高带宽内(nei)存（HBM）市场蓬勃发展，有望进一步支撑了整体存储芯片市场。
市场机构Gartner副总裁Gaurav Gupta日(ri)前在“Semicon Korea2025”活动上表(biao)示，今年HBM市场预计将比去年增长(chang)66.9%。尽管与过去两年AI市场的快速增长(chang)相(xiang)比，需求增长(chang)的速度预计会放缓，但供应短缺预计将持续。他指出，HBM将推动存储器半导体市场的增长(chang)，特(te)别(bie)是在DRAM领域(yu)。去年，HBM仅占(zhan)DRAM出货量的1.2%，但预计今年将上升到5%，到2028年，HBM预计将占(zhan)DRAM市场总量的30.6%。随(sui)着主要供应商的技术成熟，他们可能(neng)会专注于提高产(chan)量，HBM的层数(shu)预计也将从8层增加到16层，未来可能(neng)达到20层。
随(sui)着人工智能(neng)将向更高效部署方向落地，企(qi)业级固态硬盘(pan)市场有望拉动。
TrendForce集邦咨询指出，从AI订单角度而(er)言，NVIDIA（英伟达）预计于下半年扩大Blackwell系(xi)列产(chan)品的出货，该系(xi)列产(chan)品理论上会大幅(fu)增加EnterpriseSSD的需求。同(tong)时，开源大模型DeepSeek大模型大幅(fu)降低AIServer建置(zhi)成本，中小(xiao)企(qi)业将更有能(neng)力实现AI落地的策略，从而(er)提升企(qi)业竞争力，有望推动企(qi)业级和PC等SSD需求。
另外(wai)，由于DeepSeek大幅(fu)降低了算力需求，AI智能(neng)手(shou)机的功能(neng)搭载率也存在扩大的可能(neng)，加上QLC（四层式储存）技术逐步渗透手(shou)机使(shi)用，AI智能(neng)手(shou)机的储存需求或(huo)许会因此有所增长(chang)。不过，这(zhe)些因素能(neng)否切实转化为市场需求的提升以及对市场供需结(jie)构的改善程度仍存在不确定性。
闪存巨头重启减产(chan)
相(xiang)比DRAM市场，NAND Flash市场“预冷”。2022年、2023年，全球闪存为应对供需失衡，曾陆(lu)续启动过减产(chan)，而(er)面临今年闪存市场压力，闪存巨头再度启动减产(chan)，有望助力后续价格反弹。
报道显示，今年1月，三星电子决定大幅(fu)减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产(chan)，晶圆投入(ru)量减少超过10%，每月平均(jun)产(chan)量预计从20万片减少至约17万片。同(tong)时，韩国华城的12号和17号生产(chan)线也将调整供应，整体产(chan)能(neng)降低，合计NAND闪存芯片产(chan)能(neng)可能(neng)会减少20%左右。
SK海力士计划将上半年NAND闪存的产(chan)量削减10%。其NAND闪存月产(chan)能(neng)为30万片晶圆，减产(chan)10%即每月减少3万片晶圆的产(chan)出。
美光也着手(shou)减产(chan)。2025财年第一季度，美光DRAM业务(wu)环比增长(chang)20%，而(er)NAND业务(wu)却下滑(hua)了5%，并(bing)预计第二(er)季度NAND出货量仍将环比下降，并(bing)且影响公司下一季度业绩。美光执行副总裁首席财务(wu)官MarkMurphy表(biao)示，在NAND业务(wu)方面正在采取迅速而(er)果断的行动来降低资本支出并(bing)削减晶圆产(chan)量。
铠(kai)侠也在2024年12月实施减产(chan)，预计将有望促使(shi)NAND Flash价格止(zhi)跌甚至出现反转。
根据TrendForce集邦咨询调查显示，今年第一季NAND Flash市场持续面临供过于求的挑战，导致价格持续下滑(hua)，供应商陷入(ru)亏损困境。自2023年起，各大NAND Flash原厂已深刻认识到供给过剩对产(chan)业造成的严重冲(chong)击，特(te)别(bie)是NAND Flash需求年增率自30%大幅(fu)下修至10%—15%。预估NAND Flash市场供需结(jie)构存在在下半年得(de)到改善的可能(neng)性。
从需求端来看，多方面因素有可能(neng)推升NAND Flash需求，从而(er)缓解供过于求的局(ju)面。自2024年第四季起，中国持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激(ji)了智能(neng)手(shou)机销量，加速了NAND Flash库存去化速度。智能(neng)手(shou)机品牌厂有机会在今年第二(er)季扩大建立(li)低价库存，从而(er)带动一定的需求动能(neng)。